BU104 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BU104
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для BU104
BU104 Datasheet (PDF)
bu104.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BU104DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 150V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.5V(Max.)@ I = 7ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflexion output stage of B/WTV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATING
bu104d.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BU104DDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 150V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.5V(Max.)@ I = 7ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection output stagesof TVs and CRTs.ABSOLUTE MAXIMUM R
Другие транзисторы... BT930T , BU100 , BU1008ADF , BU1008AF , BU100A , BU102 , BU103 , BU103A , 8050 , BU104D , BU104DP , BU104P , BU105 , BU105-02 , BU106 , BU107 , BU108 .
History: 2N284 | 2N2926-4



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet