BU104D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU104D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU104D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU104D даташит

 ..1. Size:203K  inchange semiconductor
 bu104d.pdf pdf_icon

BU104D

isc Silicon NPN Power Transistor BU104D DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 150V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = 2.5V(Max.)@ I = 7A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection output stages of TV s and CRT s. ABSOLUTE MAXIMUM R

 9.1. Size:207K  inchange semiconductor
 bu104.pdf pdf_icon

BU104D

isc Silicon NPN Power Transistor BU104 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 150V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = 2.5V(Max.)@ I = 7A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflexion output stage of B/W TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATING

Другие транзисторы: BU100, BU1008ADF, BU1008AF, BU100A, BU102, BU103, BU103A, BU104, TIP35C, BU104DP, BU104P, BU105, BU105-02, BU106, BU107, BU108, BU1085