Справочник транзисторов. BU104P

 

Биполярный транзистор BU104P Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU104P
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для BU104P

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU104P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:207K  inchange semiconductor
 bu104.pdf pdf_icon

BU104P

isc Silicon NPN Power Transistor BU104DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 150V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.5V(Max.)@ I = 7ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflexion output stage of B/WTV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 9.2. Size:203K  inchange semiconductor
 bu104d.pdf pdf_icon

BU104P

isc Silicon NPN Power Transistor BU104DDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 150V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.5V(Max.)@ I = 7ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection output stagesof TVs and CRTs.ABSOLUTE MAXIMUM R

Другие транзисторы... BU1008AF , BU100A , BU102 , BU103 , BU103A , BU104 , BU104D , BU104DP , TIP31 , BU105 , BU105-02 , BU106 , BU107 , BU108 , BU1085 , BU109 , BU109D .

History: 3DD176

 

 
Back to Top

 


 
.