Справочник транзисторов. BU109

 

Биполярный транзистор BU109 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU109
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 330 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BU109

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU109 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  cdil
 bu109.pdf pdf_icon

BU109

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyBU109NPN HIGH VOLTAGE SILICON POWER TRANSISTORTO-3Metal Can PackageHORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT STAGE OF TVs and CRTsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 150 VVCBOCollector Base Voltage 330 VVEBO

 ..2. Size:207K  inchange semiconductor
 bu109.pdf pdf_icon

BU109

isc Silicon NPN Power Transistor BU109DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.0 V(Max)@ I = 5ACE(sat CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 150 V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output stage of TVs andC

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top

 


 
.