Биполярный транзистор 2N3212 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N3212
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 14 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO37
2N3212 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 , 2SC2383Y , 2N3213 , 2N3214 , 2N3215 , 2N3216 , 2N3217 , 2N3218 , 2N3219 , 2N322 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050