BU123. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU123

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU123

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU123 даташит

 ..1. Size:201K  inchange semiconductor
 bu123.pdf pdf_icon

BU123

isc Silicon NPN Power Transistor BU123 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0 V(Max)@ I = 5A CE(sat C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 120 V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output stage of TVs and C

Другие транзисторы: BU114, BU115, BU116, BU117, BU118, BU120, BU121, BU122, 2SD669A, BU124, BU124A, BU125, BU125S, BU126, BU126A, BU126S, BU126T