BU124. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU124

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BU124

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU124 даташит

 ..1. Size:212K  inchange semiconductor
 bu124.pdf pdf_icon

BU124

isc Silicon NPN Power Transistor BU124 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 150V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switch-mode CTV supply systems applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Volta

 0.1. Size:211K  inchange semiconductor
 bu124a.pdf pdf_icon

BU124

isc Silicon NPN Power Transistor BU124A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 150V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switch-mode CTV supply systems applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Volt

Другие транзисторы: BU115, BU116, BU117, BU118, BU120, BU121, BU122, BU123, TIP2955, BU124A, BU125, BU125S, BU126, BU126A, BU126S, BU126T, BU127