BU133. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU133

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 750 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU133

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU133 даташит

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
 bu133.pdf pdf_icon

BU133

isc Silicon NPN Power Transistor BU133 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 250V(Min.) CEO(SUS) Collector Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.)@ I = 2A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in color TV receiver s chopper supply. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB

Другие транзисторы: BU126S, BU126T, BU127, BU128, BU129, BU130, BU131, BU132, S9018, BU134, BU135, BU136, BU137, BU137A, BU138, BU139, BU140