Биполярный транзистор 2N3216 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N3216
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO5
2N3216 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SB817 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: MMBT3906H | MMBT3904H | MMDT3906SG | MMDT3904SG | MMDT2907ASG | MMBTSC945-L | MMBTSC945-H | MMBTSC3875-Y | MMBTSC3875-O | MMBTSC3875-L | MMBTSC3875-G | MMBTSC1623-L7 | MMBTSC1623-L6 | MMBTSC1623-L5 | MMBTSC1623-L4 | MMBT9015-D | MMBT9015-C | MMBT9015-B | MMBT9013-H | MMBT9013-G | MMBT9012H