BU1508DX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU1508DX

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 6

Корпус транзистора: SOT186

 Аналоги (замена) для BU1508DX

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU1508DX даташит

 ..1. Size:51K  philips
 bu1508dx.pdf pdf_icon

BU1508DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU1508DX GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Features exceptional tolerance to base drive an

 ..2. Size:209K  inchange semiconductor
 bu1508dx.pdf pdf_icon

BU1508DX

isc Silicon NPN Power Transistor BU1508DX DESCRIPTION High Voltage High Speed Switching Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage V =

 7.1. Size:215K  inchange semiconductor
 bu1508df.pdf pdf_icon

BU1508DX

isc Silicon NPN Power Transistor BU1508DF DESCRIPTION High Voltage High Speed Switching Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage V =

 8.1. Size:59K  philips
 bu1508ax.pdf pdf_icon

BU1508DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU1508AX GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Features exceptional tolerance to base drive and collector current load variati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU138, BU139, BU140, BU141, BU142, BU143, BU144, BU1508AX, TIP41C, BU157, BU1706A, BU1706AX, BU1708AX, BU180, BU180A, BU181, BU181A