2N3217 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N3217  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO46

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N3217

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3217 даташит

 9.1. Size:327K  general electric
2n319 2n320 2n321.pdfpdf_icon

2N3217

Другие транзисторы: 2N321, 2N3210, 2N3211, 2N3212, 2N3213, 2N3214, 2N3215, 2N3216, BD135, 2N3218, 2N3219, 2N322, 2N3220, 2N3221, 2N3222, 2N3223, 2N3224