Справочник транзисторов. BU2508A

 

Биполярный транзистор BU2508A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU2508A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6
   Корпус транзистора: TO218
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BU2508A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  philips
 bu2508a 1.pdf pdf_icon

BU2508A

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508A GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelopeintended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Features exceptional tolerance tobase drive and collector current load variations resulti

 ..2. Size:175K  cn sptech
 bu2508a.pdf pdf_icon

BU2508A

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor BU2508ADESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolor TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector- Emitter Voltage(V = 0) 1500 VCES BEV Co

 ..3. Size:216K  inchange semiconductor
 bu2508a.pdf pdf_icon

BU2508A

isc Silicon NPN Power Transistor BU2508ADESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolor TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

 0.1. Size:61K  philips
 bu2508aw 1.pdf pdf_icon

BU2508A

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508AW GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelopeintended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Features exceptional tolerance tobase drive and collector current load variations result

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: SBC328 | 2SC1757E | D43C8 | CPH5520 | D42T4 | 2SC1727 | MP4051

 

 
Back to Top

 


 
.