Справочник транзисторов. BU2508D

 

Биполярный транзистор BU2508D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU2508D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
   Корпус транзистора: TO218
 

 Аналог (замена) для BU2508D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2508D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  philips
 bu2508d 1.pdf pdf_icon

BU2508D

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508D GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers.Features exceptional tolerance to base drive and collector

 ..2. Size:218K  inchange semiconductor
 bu2508d.pdf pdf_icon

BU2508D

isc Silicon NPN Power Transistor BU2508DDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolor TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL

 0.1. Size:73K  philips
 bu2508dx.pdf pdf_icon

BU2508D

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508DX GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour televisionreceivers. Features exceptional tolerance to base drive an

 0.2. Size:54K  philips
 bu2508dw.pdf pdf_icon

BU2508D

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508DW GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers.Features exceptional tolerance to base drive and collecto

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BU225 , BU226 , BU2506DF , BU2506DX , BU2507AF , BU2508A , BU2508AF , BU2508AX , TIP31 , BU2508DF , BU2508DX , BU2520A , BU2520AF , BU2520AX , BU2520D , BU2520DF , BU2520DX .

History: GD100 | 2SB840L

 

 
Back to Top

 


 
.