BU2508DF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU2508DF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7

Корпус транзистора: SOT199

 Аналоги (замена) для BU2508DF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2508DF даташит

 ..1. Size:72K  philips
 bu2508df.pdf pdf_icon

BU2508DF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508DF GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Features exceptional tolerance to base drive an

 ..2. Size:213K  inchange semiconductor
 bu2508df.pdf pdf_icon

BU2508DF

isc Silicon NPN Power Transistor BU2508DF DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO

 7.1. Size:73K  philips
 bu2508dx.pdf pdf_icon

BU2508DF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508DX GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Features exceptional tolerance to base drive an

 7.2. Size:54K  philips
 bu2508dw.pdf pdf_icon

BU2508DF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508DW GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated damper diode in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Features exceptional tolerance to base drive and collecto

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU226, BU2506DF, BU2506DX, BU2507AF, BU2508A, BU2508AF, BU2508AX, BU2508D, BC558, BU2508DX, BU2520A, BU2520AF, BU2520AX, BU2520D, BU2520DF, BU2520DX, BU2522A