BU2525AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU2525AF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 145 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: SOT199

 Аналоги (замена) для BU2525AF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2525AF даташит

 ..1. Size:55K  philips
 bu2525af 1.pdf pdf_icon

BU2525AF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525AF GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Col

 ..2. Size:83K  philips
 bu2525af.pdf pdf_icon

BU2525AF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525AF GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Col

 ..3. Size:212K  inchange semiconductor
 bu2525af.pdf pdf_icon

BU2525AF

isc Silicon NPN Power Transistor BU2525AF DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 800V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of high resolution monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U

 7.1. Size:57K  philips
 bu2525ax 1.pdf pdf_icon

BU2525AF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525AX GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Col

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU2520AX, BU2520D, BU2520DF, BU2520DX, BU2522A, BU2522AF, BU2522AX, BU2525A, A1013, BU2525AX, BU2527A, BU2527AF, BU2527AX, BU284, BU287, BU289, BU306F