BU306F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU306F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TOP66

 Аналоги (замена) для BU306F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU306F даташит

 ..1. Size:214K  inchange semiconductor
 bu306f bu307f.pdf pdf_icon

BU306F

isc Silicon NPN Power Transistor BU306F/307F DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 300V(Min)- BD306F CEO(SUS) 400V(Min)- BD307F Collector Current-8A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in switching regulators, inverters, motor controls, solenoid/relay drivers and deflection circuits

Другие транзисторы: BU2525AF, BU2525AX, BU2527A, BU2527AF, BU2527AX, BU284, BU287, BU289, 2222A, BU307F, BU308, BU310, BU311, BU312, BU322, BU322A, BU323