Биполярный транзистор BU323P Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BU323P
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 350 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO3
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BU323P Datasheet (PDF)
bu323p.pdf

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU323PDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 350V(Min.)CEO(SUS)High ReliabilityLow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAutomotive ignitionSwitching regulatorMotor control applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
bu323are.pdf

Order this documentMOTOROLAby BU323A/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABU323ANPN Silicon Power Darlington16 AMPERE PEAKTransistorPOWER TRANSISTORDARLINGTON NPNThe BU323A is a monolithic darlington transistor designed for automotive ignition,SILICONswitching regulator and motor control applications.400 VOLTSCOLLECTOR VCE Sat Specified at 40_C = 2.0 V Max. at IC = 6
bu323apr.pdf

Order this documentMOTOROLAby BU323AP/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABU323APNPN Silicon Darlington PowerDARLINGTONTransistorNPN SILICONPOWER TRANSISTORThe BU323AP is a monolithic darlington transistor designed for automotive ignition,400 VOLTSswitching regulator and motor control applications.125 WATTS CollectorEmitter Sustaining Voltage COLLECTORVCER(sus)
bu323zre.pdf

Order this documentMOTOROLAby BU323Z/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABU323ZAdvance InformationAUTOPROTECTEDNPN Silicon Power DarlingtonDARLINGTON10 AMPERESHigh Voltage Autoprotected360450 VOLTS CLAMP150 WATTSThe BU323Z is a planar, monolithic, highvoltage power Darlington with a builtinactive zener clamping circuit. This device is specifically designed for uncl
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: UN2117Q | 2SC3277L | MM5006 | 2SA1924 | CSC1959 | FT45 | 2SC2656
History: UN2117Q | 2SC3277L | MM5006 | 2SA1924 | CSC1959 | FT45 | 2SC2656



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor