Справочник транзисторов. BU326A

 

Биполярный транзистор BU326A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU326A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BU326A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU326A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  st
bu326a.pdfpdf_icon

BU326A

BU326AHIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR FAST SWITCHING SPEEDAPPLICATIONS: POWER SUPPLIES LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT 1 2DESCRIPTION TO-3The BU326A is a silicon multiepitaxial mesa NPNtransistor in Jedec TO-3 metal case particularlyintended for switch-mode CTV supply system.INTERNAL SCHEMATIC D

 ..2. Size:131K  inchange semiconductor
bu326 bu326a.pdfpdf_icon

BU326A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU326 BU326A DESCRIPTION With TO-3 package High voltage;high speed Low collector saturation voltage. APPLICATIONS Intended for operating in CTV receivers chopper supplies. PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Abs

 ..3. Size:205K  inchange semiconductor
bu326a.pdfpdf_icon

BU326A

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BU326ADESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max.) @ I = 2.5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in operating in color TV receivers choppersu

 9.1. Size:208K  inchange semiconductor
bu326s.pdfpdf_icon

BU326A

isc Silicon NPN Power Transistor BU326SDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max.) @ I = 2.5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in operating in color TV receivers choppersupplies.ABSOLUTE MAXIMU

Другие транзисторы... BU322A , BU323 , BU323A , BU323AP , BU323P , BU323Z , BU325 , BU326 , 2SC2482 , BU326A-4 , BU326A-5 , BU326A-6 , BU326A-7 , BU326A-8 , BU326P , BU326R , BU326S .

History: FN4F3M | ECG2336 | KSC2335R | 2SC1273 | SGSD93F | GET536 | 2SB1119S

 

 
Back to Top

 


 
.