BU407D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU407D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 330 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7.5

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BU407D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU407D даташит

 ..1. Size:66K  st
bu406d bu407d.pdfpdf_icon

BU407D

BU406D BU407D SILICON NPN SWITCHING TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES NPN TRANSISTOR VERY HIGH SWITCHING SPEED APPLICATIONS HORIZONTAL DEFLECTION FOR MONOCHROME TV 3 2 1 TO-220 DESCRIPTION The BU406D and BU407D are silicon planar epitaxial NPN transistors with integrated damper diode, in Jedec TO-220 plastic package. They are fast switching, devices for us

 ..2. Size:61K  inchange semiconductor
bu406d bu407d.pdfpdf_icon

BU407D

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU406D BU407D DESCRIPTION With TO-220C package High voltage Fast switching speed Low saturation voltage Built-in damper diode APPLICATIONS For use in horizontal deflection output stages of TV s and CTV s circuits PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 moun

 ..3. Size:213K  inchange semiconductor
bu407d.pdfpdf_icon

BU407D

isc Silicon NPN Power Transistor BU407D DESCRIPTION High Voltage V = 330V(Min) CEV Fast Switching Speed- t = 0.75 s(Max) f Low Saturation Voltage- V = 1.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection output stages of TV s and CRT s ABSOLUTE MAXI

 9.1. Size:100K  motorola
bu406 bu407.pdfpdf_icon

BU407D

Order this document MOTOROLA by BU406/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BU406 BU407 NPN Power Transistors These devices are high voltage, high speed transistors for horizontal deflection output stages of TV s and CRT s. 7 AMPERES NPN SILICON High Voltage VCEV = 330 or 400 V POWER TRANSISTORS Fast Switching Speed tf = 750 ns (max)

Другие транзисторы: BU326R, BU326S, BU361, BU406, BU406D, BU406F, BU406H, BU407, BD222, BU407F, BU407FI, BU407H, BU408, BU408D, BU409, BU410, BU411