Справочник транзисторов. BU408

 

Биполярный транзистор BU408 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BU408
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TOP66

 Аналоги (замена) для BU408

 

 

BU408 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:45K  fairchild semi
bu406 bu406h bu408 bu406 bu408.pdf

BU408
BU408

BU406/406H/408High Voltage Switching Use In Horizontal Deflection Output StageTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 400 V VCEO Collector-Emitter Voltage 200 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current (DC) 7 A ICP Co

 ..2. Size:61K  samsung
bu406 bu406 bu406h bu408 sam.pdf

BU408
BU408

BU406/406H/408 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCHINGTO-220USE IN HORIZONTAL DEFLECTIONOUTPUT STAGEABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 400 V Collector-Emitter Voltage VCEO 200 V Emitter-Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 7 A 1.Base 2.Collector 3.Emitter Collector Peck Current ICM 10 A Base Current

 ..3. Size:212K  inchange semiconductor
bu408.pdf

BU408
BU408

isc Silicon NPN Power Transistor BU408DESCRIPTIONHigh Voltage: V = 400V(Min)CEVFast Switching Speed-: t = 400ns(Max)fLow Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ I = 6ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection output stagesof TVs and CRTsABSOLUTE MAXIMUM

 0.1. Size:213K  inchange semiconductor
bu408d.pdf

BU408
BU408

isc Silicon NPN Power Transistor BU408DDESCRIPTIONHigh Voltage: V = 400V(Min)CEVFast Switching Speed-: t = 0.5s(Max)fLow Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ I = 6ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection output stagesof TVs and CRTsABSOLUTE MAXIM

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top