2N3226 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2N3226 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N3226
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.03 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3

Аналоги (замена) для 2N3226

2N3226 Datasheet (PDF)

..1. Size:170K inchange semiconductor
2n3226.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2N3226DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% testMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for power amplifier and switching circuitsapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Ba

9.1. Size:274K general electric
2n322 2n323 2n324.pdf