BU4508AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU4508AF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: SOT199

 Аналоги (замена) для BU4508AF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU4508AF даташит

 ..1. Size:75K  philips
 bu4508af hg 3.pdf pdf_icon

BU4508AF

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BU4508AF Silicon Diffused Power Transistor Product specification June 1998 Supersedes data of January 1998 File under Discrete Semiconductors, SC06 Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU4508AF GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a pl

 7.1. Size:46K  philips
 bu4508az 2.pdf pdf_icon

BU4508AF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU4508AZ GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers and p.c monitors. Features exceptional tolerance to base drive and collector current load

 7.2. Size:47K  philips
 bu4508ax 2.pdf pdf_icon

BU4508AF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU4508AX GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers an p.c monitors. Features exceptional tolerance to base drive and collector curr

 7.3. Size:214K  inchange semiconductor
 bu4508ax.pdf pdf_icon

BU4508AF

isc Silicon NPN Power Transistor BU4508AX DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 800V (Min) CEO(SUS) High-voltage high-speed switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of CTV receivers and p.c monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU414, BU414B, BU415B, BU426, BU426A, BU426AF, BU426F, BU433, A1015, BU4508AX, BU4508AZ, BU4508DF, BU4508DX, BU500, BU505, BU505D, BU505DF