Справочник транзисторов. BU4508DF

 

Биполярный транзистор BU4508DF Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU4508DF
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
   Корпус транзистора: SOT199
 

 Аналог (замена) для BU4508DF

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU4508DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  philips
bu4508df 2.pdfpdf_icon

BU4508DF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU4508DF GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour televisionreceivers. Features exceptional tolerance to base drive an

 ..2. Size:83K  inchange semiconductor
bu4508df.pdfpdf_icon

BU4508DF

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU4508DF DESCRIPTION With TO-3PFa package High voltage High speed switching Built-in damper diode APPLICATIONS For use in horizontal deflection circuits of colour TV receivers. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER

 7.1. Size:44K  philips
bu4508dx 2.pdfpdf_icon

BU4508DF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU4508DX GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour televisionreceivers. Features exceptional tolerance to base drive an

 7.2. Size:44K  philips
bu4508dz 2.pdfpdf_icon

BU4508DF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU4508DZ GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers.Features exceptional tolerance to base drive and collecto

Другие транзисторы... BU426 , BU426A , BU426AF , BU426F , BU433 , BU4508AF , BU4508AX , BU4508AZ , 13009 , BU4508DX , BU500 , BU505 , BU505D , BU505DF , BU505F , BU506 , BU506D .

History: 2SC4008 | BUL654 | D40P4 | D39V3 | KSA1244 | KTC2036 | ECG366

 

 
Back to Top

 


 
.