BU508AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU508AF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 34 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 125 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: ISOWATT218

 Аналоги (замена) для BU508AF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU508AF даташит

 ..1. Size:48K  philips
 bu508af 2.pdf pdf_icon

BU508AF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU508AF GENERAL DESCRIPTION High voltage, high-speed switching npn transistors in a fully isolated SOT199 envelope, primarily for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Collector-emitter voltage peak value VB

 ..2. Size:211K  st
 bu508af.pdf pdf_icon

BU508AF

BU508AF High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display Features State-of-the-art technology Diffused collector Enhanced generation Stable performances versus operating temperature variation Low base-drive requirement 3 2 Tight hFE range at operating collector current 1 High ruggedness ISOWATT218FX Fully insulated power pa

 ..3. Size:47K  fairchild semi
 bu508af.pdf pdf_icon

BU508AF

BU508AF TV Horizontal Output Applications TO-3PF 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 1500 V VCEO Collector-Emitter Voltage 700 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current (DC) 5 A ICP *Collector Current (Pulse) 1

 ..4. Size:134K  inchange semiconductor
 bu508af.pdf pdf_icon

BU508AF

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU508AF DESCRIPTION With TO-3PFa package High voltage High speed switching APPLICATIONS For use in horizontal deflection circuits of high resolution monitors PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU505DF, BU505F, BU506, BU506D, BU506DF, BU506F, BU508, BU508A, S9014, BU508AFI, BU508AT, BU508AXI, BU508D, BU508DF, BU508DFI, BU508DR, BU508DRF