BU522. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU522

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BU522

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU522 даташит

 ..1. Size:211K  inchange semiconductor
 bu522.pdf pdf_icon

BU522

isc Silicon Darlington NPN Power Transistor BU522 DESCRIPTION High Voltage Low Collector Saturation Voltage- V = 2.5V @ I = 4A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in ignition circuit. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emitter Voltage 350 V CE

 0.1. Size:105K  motorola
 bu522bre.pdf pdf_icon

BU522

 0.2. Size:211K  inchange semiconductor
 bu522a.pdf pdf_icon

BU522

isc Silicon Darlington NPN Power Transistor BU522A DESCRIPTION High Voltage Low Collector Saturation Voltage- V = 2.0V @ I = 4A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in ignition circuit. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emitter Voltage 400 V C

 0.3. Size:211K  inchange semiconductor
 bu522b.pdf pdf_icon

BU522

isc Silicon Darlington NPN Power Transistor BU522B DESCRIPTION High Voltage Low Collector Saturation Voltage- V = 2.0V @ I = 4A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in ignition circuit. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emitter Voltage 425 V C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU508D, BU508DF, BU508DFI, BU508DR, BU508DRF, BU508DXI, BU508FI, BU508L, TIP35C, BU522A, BU522B, BU526, BU526A, BU526A-4, BU526A-5, BU526A-6, BU526A-7