Справочник транзисторов. BU522A

 

Биполярный транзистор BU522A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BU522A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BU522A

 

 

BU522A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  inchange semiconductor
bu522a.pdf

BU522A
BU522A

isc Silicon Darlington NPN Power Transistor BU522ADESCRIPTIONHigh VoltageLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.0V @ I = 4ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in ignition circuit.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Emitter Voltage 400 VC

 9.1. Size:105K  motorola
bu522bre.pdf

BU522A
BU522A

Order this documentMOTOROLAby BU522B/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABU522BHigh Voltage Silicon Power7 AMPERESDarlingtonsDARLINGTONPOWER TRANSISTORSPower Transistor mainly intended for use as ignition circuit output transistor.NPN SILICON Specified minimum sustaining voltage:450 VOLTSVCER(sus) = 425 V at IC = 1 A75 WATTS High S.O.A. capability:VCE = 400 V

 9.2. Size:211K  inchange semiconductor
bu522.pdf

BU522A
BU522A

isc Silicon Darlington NPN Power Transistor BU522DESCRIPTIONHigh VoltageLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.5V @ I = 4ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in ignition circuit.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Emitter Voltage 350 VCE

 9.3. Size:211K  inchange semiconductor
bu522b.pdf

BU522A
BU522A

isc Silicon Darlington NPN Power Transistor BU522BDESCRIPTIONHigh VoltageLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.0V @ I = 4ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in ignition circuit.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Emitter Voltage 425 VC

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top