Справочник транзисторов. BU522B

 

Биполярный транзистор BU522B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU522B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 475 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для BU522B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU522B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  inchange semiconductor
 bu522b.pdf pdf_icon

BU522B

isc Silicon Darlington NPN Power Transistor BU522BDESCRIPTIONHigh VoltageLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.0V @ I = 4ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in ignition circuit.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Emitter Voltage 425 VC

 0.1. Size:105K  motorola
 bu522bre.pdf pdf_icon

BU522B

Order this documentMOTOROLAby BU522B/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABU522BHigh Voltage Silicon Power7 AMPERESDarlingtonsDARLINGTONPOWER TRANSISTORSPower Transistor mainly intended for use as ignition circuit output transistor.NPN SILICON Specified minimum sustaining voltage:450 VOLTSVCER(sus) = 425 V at IC = 1 A75 WATTS High S.O.A. capability:VCE = 400 V

 9.1. Size:211K  inchange semiconductor
 bu522.pdf pdf_icon

BU522B

isc Silicon Darlington NPN Power Transistor BU522DESCRIPTIONHigh VoltageLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.5V @ I = 4ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in ignition circuit.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Emitter Voltage 350 VCE

 9.2. Size:211K  inchange semiconductor
 bu522a.pdf pdf_icon

BU522B

isc Silicon Darlington NPN Power Transistor BU522ADESCRIPTIONHigh VoltageLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.0V @ I = 4ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in ignition circuit.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Emitter Voltage 400 VC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BU508DFI , BU508DR , BU508DRF , BU508DXI , BU508FI , BU508L , BU522 , BU522A , TIP31 , BU526 , BU526A , BU526A-4 , BU526A-5 , BU526A-6 , BU526A-7 , BU526A-8 , BU536 .

History: BC727-10 | SS126 | BF241 | NESG204619 | 2SC1030C | NPS4250 | 2SC752TM

 

 
Back to Top

 


 
.