BU526A-6. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BU526A-6
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 86 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для BU526A-6
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BU526A-6 даташит
bu526a.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BU526A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 460V(Min.) (BR)CEO High Speed Switching High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in switching mode power supply. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT Colle
bu526 bu526a.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU526 BU526A DESCRIPTION With TO-3 package Short switching times. High dielectric strength. APPLICATIONS For use in power supply units of TV receives. PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta=
bu526.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BU526 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min.) (BR)CEO High Speed Switching High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in switching mode power supply. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT Collec
Другие транзисторы: BU508L, BU522, BU522A, BU522B, BU526, BU526A, BU526A-4, BU526A-5, 2SD2499, BU526A-7, BU526A-8, BU536, BU546, BU603, BU606, BU606D, BU607
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet
