BU546. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU546

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 550 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU546

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU546 даташит

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
 bu546.pdf pdf_icon

BU546

isc Silicon NPN Power Transistor BU546 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 550V(Min.) (BR)CEO High Speed Switching High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in switching mode power supply. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Coll

Другие транзисторы: BU526, BU526A, BU526A-4, BU526A-5, BU526A-6, BU526A-7, BU526A-8, BU536, 9014, BU603, BU606, BU606D, BU607, BU607D, BU608, BU608D, BU626