Биполярный транзистор BU608 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BU608
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO3
BU608 Datasheet (PDF)
bu608.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BU608DESCRIPTIONHigh Voltage: V = 400V(Min)CEVFast Switching Speed-: t = 0.5s(Max)fLow Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ I = 6ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection output stagesof TVs and CRTsABSOLUTE MAXIMU
bu6084b.pdf
RBU6084B www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Computer aided power and Switch-mode power supplies 222FEATURES 2 Hi
bu6084bf.pdf
RBU6084BF www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Computer aided power and Switch-mode power supplies 222FEATURES 2 H
bu608d.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BU608DDESCRIPTIONHigh Voltage: V = 400V(Min)CEVFast Switching Speed-: t = 0.5s(Max)fLow Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ I = 6ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection output stagesof TVs and CRTsABSOLUTE MAXIM
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
