BU626. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU626

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU626

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU626 даташит

 0.1. Size:206K  inchange semiconductor
 bu626a.pdf pdf_icon

BU626

isc Silicon NPN Power Transistor BU626A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min.) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 3.3V(Max.) @ I = 8A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in power supply units of TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие транзисторы: BU546, BU603, BU606, BU606D, BU607, BU607D, BU608, BU608D, D880, BU626A, BU705, BU705D, BU705DF, BU705F, BU706, BU706D, BU706DF