BU705. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU705

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 78 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7.5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2.25

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BU705

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU705 даташит

 ..1. Size:216K  inchange semiconductor
 bu705.pdf pdf_icon

BU705

isc Silicon NPN Power Transistor BU705 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collecto

 0.1. Size:214K  inchange semiconductor
 bu705df.pdf pdf_icon

BU705

isc Silicon NPN Power Transistor BU705DF DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Built-in Integrated Efficiency Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

 0.2. Size:212K  inchange semiconductor
 bu705f.pdf pdf_icon

BU705

isc Silicon NPN Power Transistor BU705F DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collect

 0.3. Size:219K  inchange semiconductor
 bu705d.pdf pdf_icon

BU705

isc Silicon NPN Power Transistor BU705D DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Built-in Integrated Efficiency Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU606, BU606D, BU607, BU607D, BU608, BU608D, BU626, BU626A, D209L, BU705D, BU705DF, BU705F, BU706, BU706D, BU706DF, BU706F, BU724