Справочник транзисторов. BU705

 

Биполярный транзистор BU705 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU705
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 78 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7.5 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2.25
   Корпус транзистора: TOP3
 

 Аналог (замена) для BU705

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU705 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  inchange semiconductor
bu705.pdfpdf_icon

BU705

isc Silicon NPN Power Transistor BU705DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits of TVreceivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collecto

 0.1. Size:214K  inchange semiconductor
bu705df.pdfpdf_icon

BU705

isc Silicon NPN Power Transistor BU705DFDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedBuilt-in Integrated Efficiency DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits of TVreceivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

 0.2. Size:212K  inchange semiconductor
bu705f.pdfpdf_icon

BU705

isc Silicon NPN Power Transistor BU705FDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits of TVreceivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collect

 0.3. Size:219K  inchange semiconductor
bu705d.pdfpdf_icon

BU705

isc Silicon NPN Power Transistor BU705DDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedBuilt-in Integrated Efficiency DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits of TVreceivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

Другие транзисторы... BU606 , BU606D , BU607 , BU607D , BU608 , BU608D , BU626 , BU626A , BC556 , BU705D , BU705DF , BU705F , BU706 , BU706D , BU706DF , BU706F , BU724 .

History: TMPA813S2 | TV24215 | DDTC115GKA

 

 
Back to Top

 


 
.