Биполярный транзистор BU808 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BU808
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO3
BU808 Datasheet (PDF)
bu808.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU808 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 700V(Min) High Switching Speed APPLICATIONSDesigned for use in three-phase AC motor control systems ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCES Collector- Emitter Voltage VBE=0 1500 VVCEO Colle
bu808dfh.pdf
BU808DFHHIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR NEW Fully Plastic TO-220 for HIGHVOLTAGE APPLICATIONS NPN MONOLITHIC DARLINGTON WITHINTEGRATED FREE-WHEELING DIODE HIGH VOLTAGE CAPABILITY ( > 1400 V ) HIGH DC CURRENT GAIN ( TYP. 150 ) LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS DEDICATED APPLICATION NOTE AN1184 FULLY INSULATED PACKAGE (U.L.COMPLIANT) FOR EASY MOUNT
bu808df1.pdf
BU808DFI HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER DARLINGTON STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPE NPN DARLINGTON WITH INTEGRATEDANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTERDIODE HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH DC CURRENT GAIN U.L. RECOGNISED ISOWATT218 PACKAGE3(U.L. FILE # E81734 (N))2 LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS1 COST AND SPACE SAVING.ISOWATT218APPLICATIONS HORIZONTAL DE
bu808dfi.pdf
BU808DFI HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPE NPN MONOLITHIC DARLINGTON WITHINTEGRATED FREE-WHEELING DIODE HIGH VOLTAGE CAPABILITY ( > 1400 V ) HIGH DC CURRENT GAIN ( TYP. 150 ) FULLY INSULATED PACKAGE (U.L.COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING3 LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS2 DEDICATED APPLICATION NOTE AN11841
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050