BU908AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU908AF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 125 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: ISOTOP3

 Аналоги (замена) для BU908AF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU908AF даташит

 9.1. Size:235K  cdil
 bu908f.pdf pdf_icon

BU908AF

 9.2. Size:215K  inchange semiconductor
 bu908.pdf pdf_icon

BU908AF

isc Silicon NPN Power Transistor BU908 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V (Min) CEO(SUS) High Power Dissipation- P = 125W@T = 25 D C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in color TV horizontal deflection circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER

Другие транзисторы: BU824, BU826, BU826A, BU902, BU902F, BU903, BU903F, BU908, BD139, BU910, BU911, BU912, BU920, BU920P, BU920PFI, BU920T, BU921