BU912. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU912

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BU912

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU912 даташит

 ..1. Size:211K  inchange semiconductor
 bu912.pdf pdf_icon

BU912

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU912 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for applications such as electronic ignition, DC and AC motor controls, solenoid drivers,etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие транзисторы: BU902, BU902F, BU903, BU903F, BU908, BU908AF, BU910, BU911, 2N5551, BU920, BU920P, BU920PFI, BU920T, BU921, BU921P, BU921PFI, BU921T