Справочник транзисторов. BU930P

 

Биполярный транзистор BU930P Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU930P
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 105 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BU930P

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU930P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:215K  inchange semiconductor
 bu930.pdf pdf_icon

BU930P

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU930DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 350V(Min.)CEO(SUS)High ReliabilityLow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh ruggedness electronic ignitionsHigh voltage ignition coil driverABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие транзисторы... BU921ZT , BU921ZTFI , BU922 , BU922P , BU922PFI , BU922T , BU926 , BU930 , 13003 , BU930Z , BU930ZP , BU931 , BU931P , BU931PFI , BU931R , BU931RP , BU931RPFI .

History: GT702A | 2SC1192Z

 

 
Back to Top

 


 
.