Справочник транзисторов. BU931TFI

 

Биполярный транзистор BU931TFI Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU931TFI
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO220F
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BU931TFI Datasheet (PDF)

 8.1. Size:654K  st
bu931t.pdfpdf_icon

BU931TFI

BU931T Automotive-grade high voltage ignition coil driver NPN power Darlington transistor Datasheet - production data Features AEC-Q101 qualified Very rugged Bipolar technology TAB High operating junction temperature Applications 3 High ruggedness electronic ignitions 21Description TO-220This is a high voltage power Darlington transistor developed

 8.2. Size:213K  inchange semiconductor
bu931t.pdfpdf_icon

BU931TFI

isc Silicon NPN Power Transistor BU931TDESCRIPTIONHigh VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh ruggedness electronic ignitionsHigh voltage ignition coil driverABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 500 VCBOV Collector-Emitter Voltage 400 VCEOV E

 9.1. Size:77K  st
bu931-bub931t.pdfpdf_icon

BU931TFI

BU931TBUB931T HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVERNPN POWER DARLINGTON VERY RUGGED BIPOLAR TECHNOLOGY HIGH OPERATING JUNCTIONTEMPERATURE WIDE RANGE OF PACKAGES SURFACE-MOUNTING D2PAK (TO-263)POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX)OR IN TAPE & REEL (SUFFIX T4)APPLICATIONS332 HIGH RUGGEDNESS ELECTRONIC11IGNITIONSTO-220 D2PAKTO-263INTERNAL SCHEMATIC DIAG

 9.2. Size:97K  st
bu931 bu931p bu931pfi.pdfpdf_icon

BU931TFI

BU931/BU931PBU931PFIHIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVERNPN POWER DARLINGTON VERY RUGGED BIPOLAR TECHNOLOGY HIGH OPERATING JUNCTIONTEMPERATURE WIDE RANGE OF PACKAGESTO-3APPLICATIONS1 HIGH RUGGEDNESS ELECTRONIC2IGNITIONS33221 1TO-218 ISOWATT218INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMfor TO-3Emitter: pin 2Base: pin1Collector: tabABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Pa

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: KSR1011 | P207 | MQ2219A | 2SC3808 | 2SC98 | DTA114EUB | 2SD1138D

 

 
Back to Top

 


 
.