BU941PFI. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BU941PFI
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300
Корпус транзистора: ISOWATT218
Аналоги (замена) для BU941PFI
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BU941PFI даташит
bu941p.pdf
BU941/BU941P BU941PFI HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVER NPN POWER DARLINGTON SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN DARLINGTON INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE TO-3 VERY RUGGED BIPOLAR TECHNOLOGY HIGH OPERATING JUNCTION 1 TEMPERATURE 2 WIDE RANGE OF PACKAGES APPLICATIONS HIGH RUGGEDNESS ELECTRONIC IGNITIONS 3 3 2 2 1 1 TO-218 ISOWATT218 INTERNAL SCHEMA
bu941p.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors BU941P DESCRIPTION With TO-3PN package DARLINGTON High breakdown voltage APPLICATIONS High ruggedness electronic ignitions. High voltage ignition coil driver PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Abso
bu941pt4tl.pdf
BU941PT4TL Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION High Voltage DARLINGTON APPLICATIONS High ruggedness electronic ignitions High voltage ignition coil driver ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TB B=25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VB B Collector-Base Voltage 500 V CBO VB B Collector-Emitter Voltage 400 V CEO VB B Emitter-Base Voltage 5 V EBO IB B Collector Current- Continu
bu941p.pdf
SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor BU941P DESCRIPTION High Voltage DARLINGTON APPLICATIONS High ruggedness electronic ignitions High voltage ignition coil driver ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TB B=25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VB B Collector-Base Voltage 500 V CBO VB B Collector-Emitter Voltage 400 V CEO VB B Emitter-Base Voltage 5 V EBO
Другие транзисторы: BU931ZTFI, BU932, BU932P, BU932R, BU932RP, BU932RPFI, BU941, BU941P, TIP31, BU941SM, BU941T, BU941TFI, BU941Z, BU941ZP, BU941ZPFI, BU941ZSM, BU941ZT
History: 2SD644
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773




