BUD636ASMD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUD636ASMD

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 550 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 11 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для BUD636ASMD

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUD636ASMD даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BUD600SMD, BUD616A, BUD616ASMD, BUD620, BUD620SMD, BUD630, BUD630SMD, BUD636A, 2SC2383, BUD700D, BUD700DSMD, BUD86, BUD86SMD, BUD87, BUD87SMD, BUD98, BUD98I