BUF636A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUF636A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 550 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 11 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUF636A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUF636A даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BUF420AI, BUF420AM, BUF420I, BUF420M, BUF460AV, BUF460V, BUF620, BUF630, 2N5401, BUF640, BUF640A, BUF642, BUF644, BUF646, BUF646A, BUF650, BUF653