BUF660. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUF660

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUF660

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUF660 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BUF640A, BUF642, BUF644, BUF646, BUF646A, BUF650, BUF653, BUF654, 13007, BUF672, BUF725D, BUF742, BUF744, BUH100, BUH1015, BUH1215, BUH150