BUH150. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUH150

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUH150

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUH150 даташит

 0.1. Size:462K  motorola
 buh150re.pdf pdf_icon

BUH150

Order this document MOTOROLA by BUH150/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BUH150 Designer's Data Sheet POWER TRANSISTOR 15 AMPERES SWITCHMODE NPN Silicon 700 VOLTS Planar Power Transistor 150 WATTS The BUH150 has an application specific state of art die designed for use in 150 Watts Halogen electronic transformers. This power transistor is specifically designed to sustain the l

 0.2. Size:238K  onsemi
 buh150-d.pdf pdf_icon

BUH150

BUH150G SWITCHMODEt NPN Silicon Planar Power Transistor The BUH150G has an application specific state-of-art die designed for use in 150 Watts Halogen electronic transformers. http //onsemi.com This power transistor is specifically designed to sustain the large inrush current during either the startup conditions or under a short POWER TRANSISTOR circuit across the load. 15 AMPERES 70

Другие транзисторы: BUF660, BUF672, BUF725D, BUF742, BUF744, BUH100, BUH1015, BUH1215, A1941, BUH2M20AP, BUH2M20P, BUH313, BUH313D, BUH315, BUH315D, BUH315DXI, BUH415DXI