Биполярный транзистор BUH150 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUH150
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4
Корпус транзистора: TO220
BUH150 Datasheet (PDF)
buh150re.pdf
Order this documentMOTOROLAby BUH150/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABUH150Designer's Data SheetPOWER TRANSISTOR15 AMPERESSWITCHMODE NPN Silicon700 VOLTSPlanar Power Transistor150 WATTSThe BUH150 has an application specific stateofart die designed for use in150 Watts Halogen electronic transformers.This power transistor is specifically designed to sustain the l
buh150-d.pdf
BUH150GSWITCHMODEt NPNSilicon Planar PowerTransistorThe BUH150G has an application specific state-of-art die designedfor use in 150 Watts Halogen electronic transformers. http://onsemi.comThis power transistor is specifically designed to sustain the largeinrush current during either the startup conditions or under a shortPOWER TRANSISTORcircuit across the load.15 AMPERES70
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
