BUL310. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUL310

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUL310

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUL310 даташит

 ..1. Size:204K  st
 bul310.pdf pdf_icon

BUL310

BUL310 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION VERY HIGH SWITCHING SPEED FULLY CHARACTERISED AT 125oC 3 2 LARGE RBSOA 1 APPLICATIONS TO-220 ELECTRONIC BALLASTS FOR FLUORESCENT LIGHTING F

 ..2. Size:119K  inchange semiconductor
 bul310.pdf pdf_icon

BUL310

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUL310 DESCRIPTION With TO-220C package High voltage,high speed Wide area of safe operation APPLICATIONS Electronic ballasts for fluorescent lighting Switch mode power supplies Flyback and forward single transistor low power converters PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;con

 0.1. Size:72K  st
 bul310fp.pdf pdf_icon

BUL310

BUL310FP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION VERY HIGH SWITCHING SPEED FULLY CHARACTERIZED AT 125oC LARGE RBSOA 3 2 FULLY MOLDED ISOLATED PACKAGE 1 2000 V DC ISOLATION (U.L. COMPLIANT) TO-220FP APPLICATI

 0.2. Size:213K  inchange semiconductor
 bul310xi.pdf pdf_icon

BUL310

isc Silicon NPN Power Transistor BUL310XI DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V = 500V(Min.) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage V = 0.5V(Max) @ I = 1A CE(sat) C High Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in lighting applications and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BUL146, BUL146F, BUL147, BUL147F, BUL213, BUL216, BUL26, BUL26D, 8550, BUL310PI, BUL381, BUL381D, BUL382, BUL38D, BUL410, BUL416, BUL46A