BUL416. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUL416

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUL416

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUL416 даташит

 ..1. Size:212K  st
 bul416.pdf pdf_icon

BUL416

BUL416 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR n STMicroelectronics PREFERRED SALES Figure 1 Package TYPE n NPN TRANSISTOR n HIGH VOLTAGE CAPABILITY n VERY HIGH SWITCHING SPEED n FULLY CHARACTERISEZ AT 125 oC n LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS 3 2 APPLICATIONS 1 TO-220 n ELECTRONIC BALLAST FOR FLUORESCENT LIGHTING n SWITCH MODE POWER SUPPLIES Figure 2 Internal Sch

 ..2. Size:287K  inchange semiconductor
 bul416.pdf pdf_icon

BUL416

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUL416 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage VCEO(SUS) = 800V(Min.) Low Collector Saturation Voltage VCE(sat) = 1.5V(Max) @ IC= 2A Very High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in lighting applications and low cost switch- mode power supplies. ABSOLUTE MAXIMU

 0.1. Size:119K  st
 bul416t.pdf pdf_icon

BUL416

BUL416T High voltage fast-switching NPN power transistor Features High voltage capability Low spread of dynamic parameters Very high switching speed Applications 3 2 Electronic ballast for fluorescent lighting 1 Switch mode power supplies TO-220 Description The BUL416T is an high voltage fast-switching NPN power transistor manufactured in planar Figure 1. In

 0.2. Size:211K  inchange semiconductor
 bul416t.pdf pdf_icon

BUL416

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BUL416T DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V = 800V(Min.) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage V = 1.5V(Max) @ I = 2A CE(sat) C Very High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in lighting applications a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BUL26D, BUL310, BUL310PI, BUL381, BUL381D, BUL382, BUL38D, BUL410, S9013, BUL46A, BUL46B, BUL47A, BUL47B, BUL48, BUL48A, BUL48B, BUL49A