BUL52B. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUL52B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для BUL52B
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BUL52B даташит
bul52b.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon Power Transistors BUL52B DESCRIPTION With TO-220C package High voltage Fast switching High energy rating APPLICATIONS Designed for use in electronic ballast applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 emitter LIMITING VALUES SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT V
bul52b.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BUL52B DESCRIPTION With TO-220C package High voltage Fast switching High energy rating APPLICATIONS Designed for use in electronic ballast applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL P
bul52bsmd.pdf
BUL52BSMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 400V IC = 8A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26 (
bul52asmd.pdf
BUL52ASMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 500V IC = 6A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26 (
Другие транзисторы: BUL49B, BUL50A, BUL50B, BUL510, BUL51A, BUL51B, BUL52A, BUL52AFI, 2SD669, BUL52BFI, BUL53A, BUL53B, BUL54A, BUL54AFI, BUL54B, BUL54BFI, BUL55A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent



