Справочник транзисторов. BUL53B

 

Биполярный транзистор BUL53B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUL53B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 550 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для BUL53B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUL53B Datasheet (PDF)

 0.1. Size:28K  semelab
 bul53b-sm.pdf pdf_icon

BUL53B

BUL53BSMSEMELABADVANCED DISTRIBUTEDMECHANICAL DATABASE DESIGNHIGH VOLTAGE, HIGH SPEED NPNSILICON POWER TRANSISTOR CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FULL MIL/AEROSPACE TEMPERATURE11.52.0 RANGE0.253.5 3.5 3.0 SCREENING OPTIONS FOR MILITARY ANDSPACE APPLICATIONS SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE1 3 HIGH VOLTAGE (VCBO = 800V) FAST SWITCHING (tf

 0.2. Size:20K  semelab
 bul53bsmd.pdf pdf_icon

BUL53B

BUL53BSMDADVANCED DISTRIBUTEDMECHANICAL DATABASE DESIGNDimensions in mmHIGH VOLTAGE, HIGH SPEED NPNSILICON POWER TRANSISTOR CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FULL MIL/AEROSPACE TEMPERATURERANGE SCREENING OPTIONS FOR MILITARY ANDSPACE APPLICATIONS SEMEFAB DESIGNED

 9.1. Size:10K  semelab
 bul53asmd.pdf pdf_icon

BUL53B

BUL53ASMDDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89(0.035)min.Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.Package for High Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 300V IC = 10A 9.67 (0.381)All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369)0.50 (0.020)0.26

Другие транзисторы... BUL510 , BUL51A , BUL51B , BUL52A , BUL52AFI , BUL52B , BUL52BFI , BUL53A , A1266 , BUL54A , BUL54AFI , BUL54B , BUL54BFI , BUL55A , BUL55B , BUL56A , BUL56B .

History: BU506DF | 2SB403 | BF395C | P210V | PBSS305PZ | 2SC3521

 

 
Back to Top

 


 
.