BUL54AFI. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUL54AFI
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Электрические характеристики
Корпус транзистора: TO220F
Аналоги (замена) для BUL54AFI
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BUL54AFI даташит
bul54asmd.pdf
BUL54ASMD ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING (tf = 40ns) EXCEPTIONAL HIGH TEMPERATURE PERFORMANCE HIGH ENERGY RATING E
bul54a-sm.pdf
BUL54A SM SEME LAB ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE 11.5 2.0 0.25 HIGH VOLTAGE 3.5 3.5 3.0 FAST SWITCHING (tf = 40ns) EXCEPTIONAL HIGH TEMPERATURE PERFORMANCE 1 3 HIGH ENERGY RATING EFFICIENT POWER SWITCHING 2 MILITARY AND HI REL
Другие транзисторы: BUL51B, BUL52A, BUL52AFI, BUL52B, BUL52BFI, BUL53A, BUL53B, BUL54A, MPSA42, BUL54B, BUL54BFI, BUL55A, BUL55B, BUL56A, BUL56B, BUL57, BUL57A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20 | irfp264




