Справочник транзисторов. BUL58A

 

Биполярный транзистор BUL58A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUL58A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BUL58A Datasheet (PDF)

 0.1. Size:10K  semelab
 bul58asmd.pdf pdf_icon

BUL58A

BUL58ASMDDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89(0.035)min.Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.Package for High Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 160V IC = 10A 9.67 (0.381)All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369)0.50 (0.020)0.26

 9.1. Size:213K  st
 bul58d.pdf pdf_icon

BUL58A

BUL58DHIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FORRELIABLE OPERATION LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS 3 VERY HIGH SWITCHING SPEED 2 FULLY CHARACTERISED AT 125oC 1 HIGH RUGGEDNESS INTEGRATED ANTIPARALLELTO-220COL

 9.2. Size:22K  semelab
 bul58bsmd.pdf pdf_icon

BUL58A

BUL58BSMDADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mmHIGH VOLTAGEHIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED HIGH VOLTAGEFAST SWITCHINGHIGH ENERGY RATING FEATURES Multibase for efficient energy distributiona

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC2257A | BC337A-16 | TV37

 

 
Back to Top

 


 
.