BUL59A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUL59A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для BUL59A
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BUL59A даташит
bul59.pdf
BUL59 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR NPN TRANSISTOR HIGH VOLTAGE CAPABILITY MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION VERY HIGH SWITCHING SPEED HIGH RUGGEDNESS APPLICATIONS ELECTRONIC TRANSFORMERS FOR 3 2 HALOGEN LAMPS 1 SWITCH MODE POWER SUPPLIES TO-220 DESCRIPTION The BUL59 is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Mesa technol
bul59.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUL59 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage VCEO(SUS) = 400V(Min.) Collector Saturation Voltage VCE(sat) = 0.5V(Max) @ IC= 2A High Speed Switching APPLICATIONS Designed for use in lighting applications and low cost switch- mode power supplies. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(
Другие транзисторы: BUL56A, BUL56B, BUL57, BUL57A, BUL57PI, BUL58A, BUL58B, BUL58D, BDT88, BUL67, BUL74A, BUL74B, BUL76A, BUL76B, BUL810, BUL87, BUL98B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013

