BUP51. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUP51

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 175 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUP51

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUP51 даташит

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 bup51.pdf pdf_icon

BUP51

isc Silicon NPN Power Transistor BUP51 DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor For audio amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

Другие транзисторы: BUP43, BUP44, BUP45, BUP46, BUP47, BUP48, BUP49, BUP50, TIP127, BUP52, BUP53, BUP54, BUP56, BUP57, BUP58, BUP59, BUPD1520